Šajā rakstā mēs cenšamies izprast Ohma likumu un Kirhofa likumu, izmantojot standarta inženiertehniskās formulas un paskaidrojumus, kā arī pielietojot lineāru pirmās kārtas diferenciālvienādojumu, lai atrisinātu problēmu kopu piemērus.
Šajā sadaļā mēs analizēsim BJT kopējās bāzes konfigurāciju un uzzināsim par tās braukšanas punkta raksturlielumiem, apgrieztās piesātinājuma strāvu, spriegumu no bāzes līdz izstarotājam un novērtēsim parametrus, izmantojot
Lauka efekta tranzistors (FET) ir elektroniska ierīce, kurā elektrisko lauku izmanto strāvas plūsmas regulēšanai. Lai to īstenotu, tiek izmantota potenciāla atšķirība
Dārlingtonas tranzistors ir plaši pazīstams un populārs savienojums, izmantojot bipolāru tranzistoru savienojuma tranzistoru (BJT) pāri, kas paredzēts darbam kā vienots “superbeta” tranzistors. Šī diagramma parāda
Šajā nodaļā ir apskatīta visa informācija par bipolārā tranzistora vai BJT tīkla līdzstrāvas novirzīšanas procedūrām un aprēķiniem
Digitālais-analogais pārveidotājs (DAC, D / A, D2A vai D-to-A) ir ķēde, kas paredzēta digitālā ieejas signāla pārveidošanai par analogo izejas signālu. Analogais-ciparu pārveidotājs (ADC) darbojas pretēji un pārveido analogo ieejas signālu par a
Transistoros pārneses raksturlielumus var saprast kā izejas strāvas attēlojumu pret ieejas kontrolējošu lielumu, kas attiecīgi uzrāda mainīgo lielumu tiešu “pārsūtīšanu” no ieejas uz izvadi
Bipolāros krustojuma tranzistoros koeficientu, kas nosaka ierīces jutības līmeni pret bāzes strāvu, un amplifikācijas līmeni tās kolektorā sauc par beta vai hFE.
Šī konfigurācija ir pazīstama kā kopējā emitētāja konfigurācija, jo šeit izstarotāju izmanto kā kopēju negatīvo spaili ieejas bāzes signālam un izejas slodzei. Citiem vārdiem sakot,
Ziņa izskaidro bipolārā krustojuma tranzistora vēsturi, kurš izgudroja tranzistoru, tā iekšējo konstrukcijas struktūru un darbības detaļas.
Bipolārā tranzistora spaiļu nobīdi, izmantojot aprēķinātu pretestības dalītāju tīklu, lai nodrošinātu optimālu veiktspēju un komutācijas reakciju, sauc par sprieguma dalītāja novirzi. Iepriekšējā aizspriedumā
Sīkāka informācija par to, kā veidot izstarotāju stabilizētu neobjektivitātes shēmu ar BJT, izmantojot vienādojumus un novērtējumu piemērus
Uzziniet, kas ir slodzes līnijas analīze un kā to īstenot, izmantojot praktisko shēmu un grafisko analīzi.
Šajā ziņojumā mēs uzzinām, kas ir piesātinājums BJT, un apspriežam dažādas metodes bipolārā tranzistora piesātinājuma strāvas līmeņa noteikšanai
Tuneļa diode ir pusvadītāju diodes veids, kam raksturīga negatīva pretestība kvantu mehāniskā efekta dēļ, kas pazīstams kā tunelēšana. Šajā amatā mēs iemācīsimies
Varaktora diode, saukta arī par varicap, VVC (sprieguma mainīga kapacitāte vai regulēšanas diode, ir pusvadītāju diode, kuras p-n krustojumā ir mainīga no sprieguma atkarīga kapacitāte.
Elektronikā taisngriešana ir process, kurā taisngrieža diode pārveido mainīgu pilna cikla maiņstrāvas ieejas signālu par puscikla līdzstrāvas izejas signālu. Izgatavo vienu diode
Kaut arī tranzistori (BJT) tiek plaši izmantoti pastiprinātāju shēmu veidošanai, tos var efektīvi izmantot arī lietojumprogrammu pārslēgšanai. Transistora slēdzis ir ķēde, kurā kolektors
Šis ziņojums palīdzēs jums izprast dažus svarīgākos salīdzināšanas parametrus vai specifikācijas, kas parasti atrodami salīdzinošās IC datu lapās. Daži no galvenajiem parametriem, kas
BJT kopējā kolektora pastiprinātājs ir ķēde, kurā kolektoram un BJT pamatnei ir kopīgs ieejas avots, tāpēc nosaukums ir kopējais kolektors. Mūsu