Ziņa izskaidro mazā signāla, mazjaudas N-kanāla MOSFET 2N7000G galvenās specifikācijas un pinouts.
Mosfets vs BJTs
Kad mēs runājam par mosfets, mēs to parasti saistām ar lielu strāvu, augstspriegumu un lielas jaudas lietojumiem.
Tomēr, tāpat kā parastajiem BJT, ir pieejami arī mazi signālu signāli, kurus var izmantot tikpat efektīvi kā viņu BJT kolēģus.
Mosfets ir populārs ar savu ārkārtīgi lielo enerģijas piegādes spēju, tomēr ir mazāks ar kopējiem izmēriem.
Atšķirībā no BJT, mosfets rīkotos ar milzīgu strāvu un spriegumu, pats nepalielinoties un neiesaistot starpposma bufera posmus vai lielas strāvas vadītāja pakāpes.
Kā tiek aktivizēts Mosfets
Lielākā MOSFET izmantošanas priekšrocība ir tā, ka to var aktivizēt pēc vēlēšanās, lai darbinātu noteiktu slodzi, neatkarīgi no vārtu piedziņas strāvas.
Iepriekš minētā funkcija ļauj aktivizēt mosfetus tieši no zemas strāvas avotiem, piemēram, CMOS vai TTL izejas, bez bufera posmu nepieciešamības, liela atšķirība, salīdzinot ar BJT.
Iepriekš minētā funkcija attiecas arī uz maziem signālu mosfetiem, kurus var tieši nomainīt maziem signālu BJT, piemēram, BC547, lai iegūtu daudz efektīvus rezultātus. Viena šāda maza signāla MOSFET datu lapa, specifikācija ir aplūkota šeit.
Tas ir N kanāla 2N7000G mosfet, kas parasti piemērots maziem signālu lietojumiem diapazonā no 200mA līdz 60V.
Ieslēgtā stāvokļa pretestība visā notekas un avota spailēs parasti ir aptuveni 5 omi. Šī mazā signāla, mazjaudas MOSFET tīkla funkcijas ir uzskaitītas zemāk:
Galvenās elektriskās funkcijas:
Notecināt līdz avota spriegumam Vdss = 60 V DC Pārvietoties uz avota spriegumu Vgs = +/- 20 V DC, +/- 40 V DC maksimums neatkārtojas, nepārsniedzot 50 mikrosekundi Notekas strāva Id = 200mA DC nepārtraukta, 500mA pulsējoša
Kopējā jaudas izkliede Pd pie Tc = 250 C (savienojuma temperatūra) = 350 mW Piespraudes un iepakojuma detaļas var redzēt šeit:
Pāri: Zemfrekvences filtru shēma zemfrekvences skaļrunim Nākamais: 10 joslu grafiskā ekvalaizera ķēde
