Ievads Uni-Junction tranzistorā

Vienvirziena tranzistors

Vienvirziena tranzistors ir pazīstams arī kā dubultbāzes diode, jo tā ir divslāņu, 3 termināļu cietvielu komutācijas ierīce. Tam ir tikai viens krustojums, tāpēc to sauc par vienmezglu ierīci. Šīs ierīces unikālā raksturīgā iezīme ir tāda, ka, iedarbinot to, izstarotāja strāva palielinās, līdz to ierobežo emitētāja barošanas avots. Pateicoties tā zemajām izmaksām, to var izmantot plašā diapazonā, ieskaitot oscilatorus, impulsu ģeneratorus un sprūda ķēdes utt. Tā ir mazjaudas absorbēšanas ierīce, un to var darbināt normālos apstākļos.

Ir 3 uni krustojuma tranzistoru veidi

Oriģināls vienvirziena tranzistors
Bezmaksas vienmezglu tranzistors
Programmējams vienvirziena tranzistors (PUT)

1. Oriģināls vienvirziena tranzistors vai UJT ir vienkārša ierīce, kurā N-veida pusvadītāju materiāla stienis, kurā P-veida materiāls ir izkliedēts kaut kur gar garumu, ierīces parametru definējot kā iekšējo standoff. 2N2646 ir visbiežāk izmantotā UJT versija. UJT ir ļoti populāri komutācijas ķēdēs, un tos nekad neizmanto kā pastiprinātājus. Ciktāl tas attiecas uz UJT lietojumprogrammām, tos var izmantot kā relaksācijas oscilatori , fāzes vadība, laika shēmas un palaišanas ierīces SCR un triakiem.

2. Bezmaksas vienvirziena krustojuma tranzistors vai CUJT ir P tipa pusvadītāju materiāla stienis, kurā N veida materiāls ir izkliedēts kaut kur gar garumu, ierīces parametru nosakot kā iekšējo standoff. 2N6114 ir viena CUJT versija.

3. Programmējams vienvirziena krustojuma tranzistors vai PUT ir tiristora tuvs radinieks tāpat kā tiristors, tas sastāv no četriem P-N slāņiem, un pirmajā un pēdējā slānī ir izvietoti anodi un katodi. N veida slānis pie anoda ir pazīstams kā anoda vārti. Ražošanā tas ir lēts.

Programmējams Uni savienojuma tranzistors

Starp šiem trim tranzistoriem šajā rakstā īsumā runāts par UJT tranzistoru darba funkcijām un tā uzbūvi.

UJT būvniecība

UJT ir trīs termināļu, viena savienojuma, divslāņu ierīce, un tā ir līdzīga tiristoram, salīdzinot ar tranzistoriem. Tam ir augsta pretestība izslēgtā stāvoklī un zema pretestība stāvoklim, kas ir diezgan līdzīgs tiristoram. No izslēgta stāvokļa uz ieslēgtu stāvokli pārslēgšanu izraisa vadītspējas modulācija, nevis bipolāra tranzistora darbība.

UJT būvniecība

Silīcija stienim ir divi omi kontakti, kas apzīmēti kā bāze1 un bāze2, kā parādīts attēlā. Pamatnes un izstarotāja funkcija atšķiras no bipolārā tranzistora pamatnes un izstarotāja.

Emitents ir P tipa, un tas ir stipri piedevēts. Pretestību starp B1 un B2, ja izstarotājs ir atvērts, to sauc par starpbāzes pretestību. Emitētāja mezgls parasti atrodas tuvāk pamatnei B2 nekā pamatnei B1. Tātad ierīce nav simetriska, jo simetriskā vienība lielākajai daļai lietojumu nenodrošina elektriskās īpašības.

Vienvirziena tranzistora simbols ir parādīts attēlā. Kad ierīce ir neobjektīva uz priekšu, tā ir aktīva vai atrodas vadošā stāvoklī. Emitētājs tiek novilkts leņķī pret vertikālo līniju, kas apzīmē N veida materiāla plātni, un bultiņas galva norāda parastās strāvas virzienā.

UJT darbība

Šī tranzistora darbība sākas ar tā, lai emitētāja barošanas spriegums būtu nulle, un tā emitētāja diode ir apgrieztā slīpā ar iekšējo stand-off spriegumu. Ja VB ir izstarojošās diodes spriegums, tad kopējais apgrieztā slīpuma spriegums ir VA + VB = Ƞ VBB + VB. Silīcijam VB = 0,7 V, ja VE kļūst lēnām palielinājies līdz vietai, kur VE = Ƞ VBB, tad IE tiks samazināts līdz nullei. Tāpēc katrā diodes pusē vienādi spriegumi nerada strāvas plūsmu caur to ne pretējā, ne priekšējā virzienā.

Ekvivalenta UJT ķēde

Kad izstarotāja barošanas spriegums tiek strauji palielināts, tad diode kļūst uz priekšu un pārsniedz kopējo pretējā sprieguma spriegumu (Ƞ VBB + VB). Šo izstarotāja sprieguma vērtību VE sauc par maksimālā punkta spriegumu un apzīmē ar VP. Kad VE = VP, izstarotāja strāva IE caur RB1 plūst uz zemi, tas ir, B1. Šī ir minimālā strāva, kas nepieciešama UJT iedarbināšanai. To sauc par maksimuma punkta izstarotāja strāvu un apzīmē ar IP. Ip ir apgriezti proporcionāls starpbāzes spriegumam VBB.

Kad emitētāja diode sāk darboties, lādiņa nesēji tiek ievadīti stieņa RB reģionā. Tā kā pusvadītāja materiāla pretestība ir atkarīga no dopinga, RB pretestība samazinās papildu lādiņu nesēju dēļ.

Tad arī RB samazinās sprieguma kritums, samazinoties pretestībai, jo emitētāja diode ir stipri novirzīta uz priekšu. Tas savukārt rada lielāku straumi uz priekšu, kā rezultātā tiek ievadīti lādiņa nesēji, un tas izraisīs RB reģiona pretestības samazināšanos. Tādējādi izstarotāja strāva turpina pieaugt, līdz izstarotāja barošanas avots ir ierobežotā diapazonā.

VA samazinās, palielinoties izstarotāja strāvai, un UJT ir negatīva pretestības īpašība. 2. pamatni izmanto, lai pāri tai uzliktu ārējo spriegumu VBB. Spailes E un B1 ir aktīvās spailes. UJT parasti tiek aktivizēts, izstarotājam iedarbojoties ar pozitīvu impulsu, un to var izslēgt, pielietojot negatīvu sprūda impulsu.

Paldies, ka pavadījāt dārgo laiku ar šo rakstu, un mēs ceram, ka, iespējams, esat saņēmis labu saturu par UJT lietojumprogrammām. Lūdzu, dalieties savos viedokļos par šo tēmu, komentējot tālāk.

Fotoattēlu kredīti