MOS kontrolēto tiristoru ir izstrādājis V.A.K templis. Tas ir sprieguma regulators, un tiristors ir pilnīgi kontrolējams tiristors. MOS kontrolētā tiristora darbība ir diezgan līdzīga GTO tiristoram, taču tam ir izolēti sprieguma kontrolēti vārti. Tam ir divi MOSFET (metāla – oksīda – pusvadītāju lauktransistors) izmanto ieslēgšanas un izslēgšanas mērķiem, un tā ekvivalentajā ķēdē ir pretēja vadītspēja. Ja ekvivalentajai ķēdei ir viens tiristors un to izmanto ieslēgšanai, to sauc par MOS vērtīgo tiristoru.
Kas ir MOS kontrolētais tiristors?
MOS kontrolēja tiristors ir jaudas pusvadītāju ierīču veids . Tam ir strāvas un tiristora sprieguma iespējas caur MOS vārtiem, ko izmanto ieslēgšanas un izslēgšanas mērķiem. To lieto lieljaudas lietojumos, piemēram, lieljaudā, milzīgā frekvencē, zemā vadītspējā, un to izmanto turpmākajā procesā. Šie simboli ir P-MCT un N-MCT, kas parādīti zemāk.
MOS kontrolētais tiristors
MCT darbība
Šī diagramma parāda MOS vadības tiristora darbības principu. Tas ir strāvas un sprieguma iespēju apvienojums ar MOS gated palīdzību. MOS vārti tiek izmantoti MCT ieslēgšanai / izslēgšanai.
Kad MOSFET ir ieslēgts MCT
Izmantojot negatīvā sprieguma impulsu, ierīce tiek ieslēgta ON stāvoklī attiecībā pret anodu. Vārtu spaili padara negatīvu attiecībā pret anodu, izmantojot sprieguma impulsu starp anoda un vārtu spailēm. Tādējādi MOS vadības tiristors ir ieslēgts. Sākuma posmā MOS vadības tiristors ir tendence uz priekšu. Ja negatīvā sprieguma impulsam tiek piemērots negatīvs spriegums, ieslēgts ON režīms FET, kā arī OFF FET režīms jau ir kā OFF stāvoklis.
MOSFET ir ieslēgts MCT
Kad FET ir ON stāvoklī, strāva no anoda iet caur ON FET, tad iet caur bāzes strāvu un n-p-n tranzistors izstarotāja spailes un galu galā strāva iet caur katodu. Tādējādi šis process ieslēdz n-p-n tranzistoru. NPN tranzistors darbojas kā P-N-P tranzistora bāzes strāva, ja OFF FET ir OFF režīmā. Līdzīgi P-N-P tranzistors ieslēdzās, ja abi tranzistori ir ieslēgti un notiek attiecīgas darbības, tāpēc tiek ieslēgts MCT.
Kad MOSFET ir izslēgts MCT
Ierīce tiek izslēgta ar pozitīvā sprieguma impulsa palīdzību. Tas tiek piemērots vārtu terminālim attiecībā pret anodu. Pēc tam OFF FET ieslēdza ON režīmu un ON FET pārslēdzās OFF stāvoklī. Ja OFF FET ir ieslēgts, p-n-p tranzistoram ir īssavienojums ar izstarotāju un bāzes spailēm. Tādējādi anoda strāva plūst caur OFF FET. Tādējādi N-P-N tranzistora bāzes strāva ir samazināta. Reversās sprieguma bloķēšanas spēja ir šīs ierīces negatīvais punkts.
Ekvivalenta shēmas diagramma
Šajā diagrammā parādīta MOS vadības tiristora ekvivalenta shēma. Shēma sastāv no diviem MOSFET tranzistoriem, kas ir N kanāla, bet otrs ir P kanāls. P-kanālu izmanto ON FET ieslēgšanai un n-channel - OFF FET izslēgšanai. Shēma sastāv no diviem tranzistoriem, kas ir n-p-n un p-n-p tranzistori. Ja šie divi tranzistori ir savienoti kopā, veidojot MOS vadības tiristora n-p-n-p struktūru. P kanālu MOSFET identificē ar bultiņu, kas savienota ar vārtu termināli.
MOS vadības tiristora shēmas shēma
MCT lietojumi
MCT lietojumprogrammas ietver sekojošo
- MCT tiek izmantoti automātiskajos slēdžos.
- To izmanto lielākas jaudas lietojumprogrammās, piemēram, lielas jaudas pārveidojumos.
- MOS vadība Tiristoru izmanto indukcijas sildīšanā.
UPS sistēmas - To lieto arī pārveidotāji, piemēram, līdzstrāvas pārveidotāji .
- Mainīgie jaudas koeficienti, darbības tiek izmantotas MCT kā spēka iedarbināts jaudas slēdzis.
MCT priekšrocības
- MOS vadības tiristoram ir zems vadītspējas kritums uz priekšu.
- Tam ir mazs komutācijas zudums.
- Tam ir augsta vārtu ieejas pretestība.
- Tas var ļoti ātri ieslēgties / izslēgt.
Šajā rakstā ir aprakstīts, kas ir MOS kontrolētais tiristors, darbs un lietojumprogrammas. Es ceru, ka rakstā sniegtajai informācijai ir dotas pamatzināšanas par MOS kontrolētā tiristora darbību. Ja jums ir kādi jautājumi par šo rakstu vai projektēt iegulto sistēmu projektus , lūdzu, komentējiet zemāk esošajā sadaļā. Šeit ir jautājums jums. Kāda ir MOS kontrolētā tiristora funkcija?
