BJT 1948. gadā izgudroja Viljams Šoklijs, Bratens un Džons Bardēns, kas ir parādījis ne tikai elektronikas pasauli, bet arī mūsu ikdienas dzīvē. Bipolārā savienojuma tranzistori izmantojiet gan lādiņu nesējus, kas ir elektroni, gan caurumus. Vienaldzība vienpola tranzistoros, piemēram, lauka tranzistoros, tiek izmantoti tikai viena veida lādiņa nesēji. Darbības nolūkā BJT starp diviem krustojumiem izmanto divus n-veida un p-veida pusvadītāju tipus. BJT galvenā pamatfunkcija ir strāvas pastiprināšana, kas ļaus BJT izmantot kā pastiprinātājus vai slēdžus, lai plaši izmantotu elektroniskās iekārtas, tostarp mobilos tālruņus, rūpniecisko vadību, televīziju un radio raidītājus. Ir pieejami divi dažādi BJT veidi, tie ir NPN un PNP.
Kas ir BJT?
Bipolārā savienojuma tranzistors ir cietvielu ierīce, un BJT strāvas plūsma divos spailēs ir izstarotāji un kolektori, un strāvas daudzumu kontrolē trešais terminālis, t.i., bāzes spaile. Tas atšķiras no cita veida tranzistoriem, t.i. Lauka efekta tranzistors kuru izejas strāvu kontrolē ieejas spriegums. BJT n-veida un p-veida pamata simbols ir parādīts zemāk.
Bipolāri savienojuma tranzistori
Bipolārā savienojuma tranzistoru veidi
Tā kā mēs esam redzējuši, ka pusvadītājs piedāvā mazāku pretestību plūsmas strāvai vienā virzienā, un augsta pretestība ir cits virziens, un mēs varam saukt tranzistoru par pusvadītāja ierīces režīmu. Bipolārā savienojuma tranzistori sastāv no divu veidu tranzistoriem. Kurš, dots mums
- Punkta kontakts
- Savienojuma tranzistors
Salīdzinot divus tranzistorus, savienojuma tranzistori tiek izmantoti vairāk nekā punktu tipa tranzistori. Turklāt krustojuma tranzistori tiek klasificēti divos veidos, kas norādīti zemāk. Katram krustojuma tranzistoram, ko tie izstaro, ir kolektors un bāze, ir trīs elektrodi
- PNP savienojuma tranzistori
- NPN savienojuma tranzistori
PNP savienojuma tranzistors
PNP tranzistoros izstarotājs ir pozitīvāks attiecībā pret bāzi un arī attiecībā uz kolektoru. PNP tranzistors ir trīs termināļu ierīce, kas izgatavota no pusvadītāju materiāls . Trīs spailes ir kolektors, bāze un izstarotājs, un tranzistoru izmanto programmu pārslēgšanai un pastiprināšanai. PNP tranzistora darbība ir parādīta zemāk.
Parasti kolektora spaile ir savienota ar pozitīvo spaili un izstarotāju ar negatīvu padevi ar rezistoru vai nu izstarotāja, vai kolektora ķēdē. Bāzes terminālim tiek piemērots spriegums, un tas darbina tranzistoru kā ON / OFF stāvokli. Transistors ir OFF stāvoklī, kad bāzes spriegums ir tāds pats kā izstarotāja spriegums. Transistora režīms ir ieslēgts, kad bāzes spriegums samazinās attiecībā pret izstarotāju. Izmantojot šo īpašību, tranzistors var darboties abās lietojumprogrammās, piemēram, slēdzī un pastiprinātājā. PNP tranzistora pamata diagramma ir parādīta zemāk.
NPN savienojuma tranzistors
NPN tranzistors ir tieši pretējs PNP tranzistoram. NPN tranzistorā ir trīs spailes, kas ir vienādas ar PNP tranzistoriem, kas ir izstarotājs, kolektors un bāze. NPN tranzistora darbība ir
Parasti pozitīvo padevi dod kolektora spailei un negatīvo padevi emitētāja spailei ar rezistoru vai nu izstarotāju, vai kolektoru, vai izstarotāju ķēdi. Bāzes terminālim tiek piemērots spriegums, un tas darbojas kā tranzistora ONN / OFF stāvoklis. Transistors ir OFF stāvoklī, kad bāzes spriegums ir tāds pats kā izstarotājs. Ja bāzes spriegums attiecībā pret emitētāju tiek palielināts, tranzistora režīms ir ieslēgts. Izmantojot šo nosacījumu, tranzistors var darboties kā abas lietojumprogrammas, kas ir pastiprinātājs un slēdzis. Pamata simbols un NPN konfigurācija diagramma, kā parādīts zemāk.
PNP un NPN savienojuma tranzistors
Hetero bipolārais krustojums
Hetero bipolārā savienojuma tranzistors ir arī bipolārā savienojuma tranzistors. Tas izmanto dažādus pusvadītāju materiālus izstarotājam un bāzes reģionam un rada heterosavienojumu. HBT spēj apstrādāt ļoti augstu, vairāku simtu GHz frekvenču singlus, parasti to izmanto ultrafast ķēdēs un lielākoties izmanto radiofrekvences. Tās lietojumprogrammas tiek izmantotas mobilajos tālruņos un RF jaudas pastiprinātājos.
BJT darbības princips
BE krustojums ir novirzīts uz priekšu, un CB ir apgrieztā slīpuma krustojums. CB krustojuma iztukšošanas reģiona platums ir lielāks nekā BE krustojums. Uz priekšu novirze BE krustojumā samazina barjeras potenciālu un rada elektronus, kas plūst no izstarotāja uz pamatu, un pamatne ir plāna un viegli piedeva, tai ir ļoti maz caurumu un mazāks elektronu daudzums no izstarotāja, aptuveni 2%, ko tā rekombinē pamatnes reģions ar caurumiem un no pamatnes spailes tas izplūdīs. Tas sāk bāzes strāvas plūsmu elektronu un urbumu kombinācijas dēļ. Lielais elektronu skaits, kas palicis pāri, šķērsos kolektora krustojumu ar pretēju novirzi, lai sāktu kolektora strāvu. Izmantojot KCL mēs varam novērot matemātisko vienādojumu
EsIS= EsB+ EsC
Bāzes strāva ir ļoti mazāka, salīdzinot ar izstarotāja un kolektora strāvu
EsIS~ EsC
Šeit PNP tranzistora darbība ir tāda pati kā NPN tranzistora, atšķirība ir tikai caurumi, nevis elektroni. Zemāk redzamā diagramma parāda aktīvā režīma reģiona PNP tranzistoru.
BJT darbības princips
BJT priekšrocības
- Augsta braukšanas spēja
- Augstas frekvences darbība
- Digitālās loģikas saimei ir emitētāja savienota loģika, ko BJT izmanto kā ciparu slēdzi
BJT pieteikumi
Tālāk ir sniegti divi dažādi BJT lietojumprogrammu veidi
- Pārslēgšanās
- Pastiprināšana
Šajā rakstā ir sniegta informācija par to, kas ir bipolārā savienojuma tranzistors, BJT veidi, bipolārā savienojuma tranzistoru priekšrocības, pielietojums un īpašības. Es ceru, ka rakstā sniegtā informācija ir noderīga, lai sniegtu labu informāciju un izprastu projektu. Turklāt, ja jums ir kādi jautājumi par šo rakstu vai elektriskie un elektroniskie projekti jūs varat komentēt zemāk esošajā sadaļā. Šeit ir jautājums jums, ja tranzistorus izmanto digitālajās shēmās, kurā reģionā tie parasti darbojas?
Foto kredīti:
- BJT skolas tīkls
- BJT darbības princips elektriskais4u
- Bipolārie tranzistori tehnoloģiju nodošana
